Idioma:

Dr. Fabian Ambriz Vargas

Nombramiento: Investigador en el área de Almacenamiento de Energía
Nivel SNI: I
Email: fambriz@cio.mx
Página WEB personal o de grupo: Página de grupo
Citas: Researchgate

El Dr. Fabián Ambriz estudió la licenciatura en Ciencia en Ingeniería de los materiales en el Instituto Politécnico Nacional. Posteriormente realizó la maestría en Ciencias de los materiales, en la misma institución. Fue acreedor de una beca por parte del gobierno de Quebec para realizar el doctorado en Ciencias de la Energía y los Materiales en el Institut National de la Recherche Scientifique, Varennes-Canada. Una vez culminado su doctorado, realizó dos años de estancia postdoctoral en el Centro de Investigación de Plasma de la Universidad de Concordia (Montreal, Canadá). Desde junio es Investigador en el área de Almacenamiento de Energía del CIO y es miembro del Sistema Nacional de Investigadores, Nivel I.

Líneas de Investigación:

Líneas de Investigación:


Publicaciones 2022-2015

2022

2021

2020

2019

2018

2017

2016

2015

Patentes:

Title: Ferroelectric tunnel junction and a method of fabrication thereof. (US 10,056,394 B1(2018)); Place: Estados unidos de América y Canada; Inventors: Fabian Ambriz-Vargas, Thomas Reji, Rafik Nouar, Andranik Sarkissian, Marc Gauthier, Andreas Ruediger.

Book Chapters:

[1] Ferroelectric (Hf,Zr)O2 Thin Films for High Density Non-volatile Memories?; Frontiers in Materials Processing, Applications, Research and Technology; ISBN 978-981-10-4819-7 (2018).